OTF-1200 X-II-ZLは炉管内部を移動可能な(真空雰囲気保護環境下で移動可能)管式炉であり、最大4つの坩堝を順に移動可能である。特殊な坩堝プッシュ機構は、坩堝を炉管内に押し出してから引き戻すことができ、坩堝を往復移動させることができる。るつぼの移動位置と炉体の温度制御はすべてタッチスクリーン制御を採用している。この設備は物理化学混合堆積(HPCVD)、急速熱蒸発(RTE)などの実験を行うことができ、特に多層二次元結晶材料の製造に適している。
技術パラメータ | |
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オープンチューブ炉 |
●二重温度帯管式炉:2つの独立した温度制御システムがそれぞれ独立して2つの温度帯を制御する ●加熱ゾーン長:温ゾーン1:200 mm、温ゾーン2:200 mm ●炉管材料:高純度石英 ●炉管寸法:外径:60×内径:54×長さ:760 mm ●温度曲線図(2つの温度領域が800℃に設置された場合に測定し、参考に供する)(画像クリックで詳細を見ることができます) ● ●最高動作温度:1200℃(<1 hr) ●連続動作温度:1100℃ ●温度制御精度:+/−1℃ ● |
しんくうシール |
ステンレスシールフランジを備え、その上にステンレスカットオフバルブと機械圧力計が取り付けられている 吸気端フランジコネクタはΦ6.35ブッシュコネクタであり、排気端フランジコネクタはKF 25コネクタである フランジシールリングは水冷却を採用し、使用時に冷却水を通す必要があり、当社で循環水冷機を選択購入することができる 真空度:10 E-2 torr(機械ポンプ採用)、10-E 5 torr(分子ポンプ採用) ● |
るつぼ移動機構(ロータリーフランジ) |
・左端フランジを介してシース熱電対を炉管内部に通し、るつぼに接続する(図1) ・ステッピングモータ駆動により坩堝を移動させ、熱電対と坩堝とともに移動させ、リアルタイムでサンプルの温度を監視する ●吸気端フランジタービンフランジ(図2) ●ホイールシステムに4つの坩堝を同時に入れることができ、4種類の材料を入れた石英坩堝を交互に石英管に自動的に送り込むことができる(真空状態または雰囲気保護状態で動作可能) ● |
るつぼ移動制御 |
・1ステップモータによるるつぼ移動の速度と位置の制御 ●制御可能なるつぼの最小移動変位は1 mm ●るつぼ最大移動距離200 mm ● |
ぼうふしきディジタルしんくうけい |
●数ある防腐型真空計 ●気圧が10 mbar以上の場合、測定ガスの種類によって係数変換を行う必要がない ・ガスの圧力検出に対する高い精度と再現性 ●センサーにコーティングが施されているため、耐食性に優れている ●測定範囲:3.8 x 10-5-125 Torr ● |
ガス混合システム |
●この設備には2ウェイ混合ガスシステムが備わっている ●最大出力:18 W ●動作温度:5-45℃ ●最大気圧:3×106 Pa ●精度:±1%FS ●質量流量計の距離: ● 1:0-100sccm ● 2:1-199sccm ●顧客の要求に応じて1-5ウェイガス供給システムを選択購入できる ● |
製品サイズ |
2400L×600W×1300mm H ● |
品質保証 |
1年間の品質保証期間、終生メンテナンス(炉管、シールリング、加熱素子を含まない) |
品質認証 |
●CE認証 ●すべての電気部品(>24 V)がUL/MET/CSA認証を取得 ●顧客が認証費用を出す場合、当社は単一設備がドイツTUV認証またはCAS認証を通過することを保証する |
使用上の考慮事項 |
●炉管内の気圧は0.02 MPaを超えてはならない ●ガスボンベ内部の気圧が高いため、炉管内にガスを通す時、ガスボンベに減圧弁を取り付けなければならない。当社で減圧弁を選択購入することを提案し、当社の減圧弁の距離は0.01 MPa-0.1 MPaであり、使用時により正確で安全である ・炉体温度が1000℃より高い場合、炉管内は真空状態にしてはならず、炉管内の気圧は大気圧に相当し、常圧状態に維持する必要がある ・加熱石英管に対する冷たい大気流の衝撃を回避するために、炉管に入るガス流量は200 SCCM未満である必要がある ●石英管の長時間使用温度<1100℃ ・サンプル加熱の実験では、炉管フランジ端の抽気バルブと吸気バルブを閉鎖して使用することは推奨されていない。ガスバルブを閉じてサンプルを加熱する必要がある場合は、圧力計の表示数に常に注意しなければならない。気圧表示数が0.02 MPaより大きい場合は、事故(炉管の破裂、フランジの飛び出しなど)の発生を防ぐために、直ちにガスバルブを開けなければならない |
応用上の考慮事項 |
●このパイプ式コンロには様々な用途がある ●熱蒸発:蒸発材をるつぼに入れ、るつぼを移動させることで必要な蒸発温度を正確に見つける ●HPCVD:熱蒸発と同様、反応ガスを通して蒸発した材料と反応させてから堆積することができる ●多層二次元結晶の作製に使用可能 |